電子束蒸鍍是物理氣相沉積的種。與傳統(tǒng)蒸鍍方式不同，電子束蒸鍍利用電磁場的配合可以地實(shí)現(xiàn)利用能電子轟擊坩堝內(nèi)靶材，使之融化而沉積在基片上。電子束蒸鍍可以鍍出純度度的薄膜。

蒸鍍原理

電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料，電子的動能轉(zhuǎn)換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發(fā)，并成膜。電子槍有直射式、環(huán)型和e型槍之分。電子束加熱蒸鍍的點(diǎn)是能獲得的能量密度，可達(dá)l09w/cm2，加熱溫度可達(dá)3000~6000℃，可以蒸發(fā)難熔金屬或化合物;被蒸發(fā)材料置于水冷的坩堝中，可避免坩堝材料的污染，制備純薄膜;另外，由于蒸發(fā)物加熱面積小，因而熱輻射損失減少，熱效率。但結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，且對較多的化合物，由于電子的轟擊有可能分解，故不適合多數(shù)化合物的蒸鍍。

電子束蒸鍍常用來制備Al、C0、Ni、Fe的合金或氧化物膜，Si02、Zr02膜，抗腐蝕和耐溫氧化膜。

優(yōu)劣

電子束蒸鍍與利用電阻行蒸鍍大的優(yōu)勢在于:可以為待蒸發(fā)的物質(zhì)提供更的熱量，因此蒸鍍的速率也更快;電子束定位準(zhǔn)確，可以避免坩堝材料的蒸發(fā)和污染。但是由于蒸鍍過程中需要持續(xù)水冷，對能量的利用率不;而且由于能電子可能帶來的二次電子可能使殘余的氣體分子電離，也有可能帶來污染。此外，大多數(shù)的化合物薄膜在被能電子轟擊時會發(fā)生分解，這影響了薄膜的成分和結(jié)構(gòu)。